数据搜索系统,热门电子元器件搜索
  Chinese  ▼
ALLDATASHEETCN.COM

X  



EPITAXIAL 数据表, PDF

搜索关键字 : 'EPITAXIAL' - 的资料共: 1279 (1/64) Pages
制造商部件名数据表功能描述
Company Logo Img
Panasonic Semiconductor
2SD1151 Datasheet pdf image
282Kb/6P
NPN EPITAXIAL PLANAR
2SA963 Datasheet pdf image
109Kb/3P
SILICON EPITAXIAL PLANAR
2SD2184 Datasheet pdf image
38Kb/2P
Silicon NPN epitaxial planer type(Silicon NPN epitaxial planer type)
2SB642 Datasheet pdf image
50Kb/3P
Silicon PNP epitaxial planer type(Silicon PNP epitaxial planer type)
2SB790 Datasheet pdf image
37Kb/2P
Silicon PNP epitaxial planer type(Silicon PNP epitaxial planer type)
2SC3313 Datasheet pdf image
37Kb/2P
Silicon NPN epitaxial planer type(Silicon NPN epitaxial planer type)
UP04315 Datasheet pdf image
106Kb/4P
Silicon NPN epitaxial planar type Silicon PNP epitaxial planar type
MA2SD24 Datasheet pdf image
77Kb/3P
Silicon epitaxial planar type
XN4506 Datasheet pdf image
33Kb/2P
NPN epitaxial planer transistor
MA3S795E Datasheet pdf image
46Kb/2P
Silicon epitaxial planar type
MA3X075E Datasheet pdf image
41Kb/2P
Silicon epitaxial planar type
MA3X199 Datasheet pdf image
46Kb/2P
Silicon epitaxial planar type
MA3X789 Datasheet pdf image
45Kb/2P
Silicon epitaxial planar type
MA3ZD12 Datasheet pdf image
40Kb/2P
Silicon epitaxial planar type
MA2Q739 Datasheet pdf image
44Kb/2P
Silicon epitaxial planar type
MA2X073 Datasheet pdf image
39Kb/2P
Silicon epitaxial planar type
MA2X334 Datasheet pdf image
45Kb/3P
Silicon epitaxial planar type
MA3J142A Datasheet pdf image
47Kb/2P
Silicon epitaxial planar type
MA3J147 Datasheet pdf image
47Kb/2P
Silicon epitaxial planar type
MA3X715 Datasheet pdf image
88Kb/3P
Silicon epitaxial planar type

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


1 2 3 4 5 > >>



什么是 EPITAXIAL


在电子组件中,“外延”是半导体制造技术中使用的术语,是指形成具有关键增长过程的半导体层的技术。该技术用于改善半导体设备的性能,尤其是在基于硅的半导体制造中。

外延沉积是在现有的半导体原型上沉积一个或多个额外层的过程。该过程也称为外延,通常使用诸如化学蒸气沉积(CVD)或物理蒸气沉积(PVD)等方法进行。

外延沉积用于多种目的:

提高性能:通过形成比半导体设备的基本材料形成更高质量的晶体结构,可以提高电子迁移率和速度。

掺杂:在外延过程中,可以掺杂特定的原子或离子以产生所需的电性能。

改善的稳定性:外延层具有与基础原型相同的晶格结构,使其比其他技术形成的层更稳定。

设备集成:外延过程用于通过沉积多层将多个设备集成到单个半导体芯片中。

外延沉积被认为是半导体制造中的关键技术,在提高半导体设备的性能和效率方面起着关键作用。该技术构成了在半导体行业开发各种产品的基础,包括高性能的微处理器,记忆芯片和LED。

*此信息仅供一般参考,对于因上述信息造成的任何损失或损害,我们概不负责。


链接网址 :

隐私政策
ALLDATASHEETCN.COM
ALLDATASHEET是否为您带来帮助?  [ DONATE ] 

关于 Alldatasheet   |   广告服务   |   联系我们   |   隐私政策   |   链接交换   |   制造商名单
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com