FET Datasheet(PDF) - 2N7002KA - NXP Semiconductors

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FET 数据表, PDF

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制造商	部件名	数据表	功能描述
NXP Semiconductors	2N7002KA	94Kb/11P	N-channel TrenchMOS FET Rev. 03-25 February 2008
	BUK663R5-55C	138Kb/11P	N-channel TrenchMOS FET Rev. 01-3 August 2010
	BUK7506-55A	345Kb/15P	TrenchMOS standard level FET Rev. 02-03 July 2001
	BUK953R2-40B	331Kb/16P	TrenchMOS logic level FET Rev. 04-14 November 2003
	BUK6507-75C	185Kb/14P	N-channel TrenchMOS FET Rev. 02-4 October 2010
	BUK9240-100A	315Kb/13P	TrenchMOS logic level FET Rev. 01-03 October 2000
	BUK7507-30B	303Kb/15P	TrenchMOS standard level FET Rev. 01-07 April 2003
	BF862	87Kb/12P	N-channel junction FET 2000 Jan 05
	BUK9606-55B	193Kb/13P	N-channel TrenchMOS FET Rev. 04-23 July 2009
	BF1100WR	471Kb/16P	Dual-gate MOS-FET 1995 Apr 25
	BUK9506-75B	358Kb/15P	TrenchMOS logic level FET Rev. 02-30 September 2002
	BUK9516-75B	306Kb/15P	TrenchMOS logic level FET Rev. 01-23 April 2003
	BUK7513-75B	298Kb/15P	TrenchMOS standard level FET Rev. 01-14 April 2003
	BUK9506-55B	195Kb/13P	N-channel TrenchMOS FET Rev. 04-23 July 2009
	2N7002K215	249Kb/12P	TrenchMOS??logic level FET Rev. 01-20 October 2003
	PHD77NQ03T	107Kb/13P	N-channel TrenchMOS FET Rev. 01-28 November 2006
	BUK9506-40B	306Kb/15P	TrenchMOS logic level FET Rev. 01-14 May 2003
	BUK6215-75C	227Kb/14P	N-channel TrenchMOS FET Rev. 02-4 October 2010
	BUK754R3-40B	303Kb/15P	TrenchMOS standard level FET Rev. 01-09 April 2003
	BUK6211-75C	219Kb/15P	N-channel TrenchMOS FET Rev. 02-28 September 2010

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什么是 FET

FET代表现场效应晶体管，是电子组件之一。

FET是一种根据输入电压的大小和方向控制输出电流的设备。

FET使用较少的功率，适合高频和高性能应用。

FET通过将电信号应用于通道来控制其电导率来起作用。

它的行为与传统的双极晶体管不同。

FET通过将电压施加到形成通道的半导体元件上，从而诱导通道中的电流。

通过这种方式，FET使用少量功率来控制输出电流。

有多种类型的FET，例如MOSFET（金属氧化物半导体FET）和JFET（结FET）。

MOSFET是最常见的类型，并使用电隔离通道运行。

JFET是使用PN连接形成通道的结构，并且在不施加电压的情况下进行操作。

FET广泛用于电子组件。主要应用程序是高频和高性能应用，集成电路，放大器，开关电路，过滤器等。

与传统的双极晶体管相比，FET通过提供较低的功耗和更高的速度来改善电子设备的性能发挥着重要作用。

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