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GAAS 数据表, PDF

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SIRENZA MICRODEVICES 		NGA-489 Datasheet pdf image
418Kb/5P		 InGaP/GaAs HBT MMIC Amplifier
SPF-3043 Datasheet pdf image
153Kb/4P		 Low Noise pHEMT GaAs FET
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422Kb/3P		 Low Noise pHEMT GaAs FET
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116Kb/3P		 Low Noise pHEMT GaAs FET
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350Kb/4P		 DC-6.0 GHz, Cascadable GaAs MMIC Amplifier
SNA-600 Datasheet pdf image
240Kb/3P		 DC-6.5 GHz, Cascadable GaAs MMIC Amplifier
SBW-5089 Datasheet pdf image
988Kb/6P		 Product Description InGaP/GaAs HBT MMIC Amplifier
SHF-0289 Datasheet pdf image
91Kb/4P		 0.05 - 6 GHz, 1.0 Watt GaAs HFET
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173Kb/3P		 DC-6.5 GHz, Cascadable GaAs MMIC Amplifier
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213Kb/3P		 DC-3 GHz, Cascadable GaAs MMIC Amplifier
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240Kb/3P		 DC-8 GHz, Cascadable GaAs MMIC Amplifier
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239Kb/3P		 DC-3 GHz, Cascadable GaAs MMIC Amplifier
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349Kb/4P		 DC-3 GHZ CASCADABLE GAAS MMIC AMPLIFIER
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731Kb/4P		 0.05-6 GHz, 0.5 Watt GaAs HFET
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351Kb/5P		 DC-6000 MHZ CASCADABLE GAAS HBT MMIC AMPLIFIER
NGA-286 Datasheet pdf image
351Kb/5P		 DC-6000 MHz, Cascadable GaAs HBT MMIC Amplifier

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什么是 GAAS

GAAS（Arsenide）是由镀凝剂（GA）和砷（AS）组成的半导体材料，用于电子成分。

GAAS广泛用于光电设备，高速集成电路（ICS）和微波设备。

GAAS具有很高的电子迁移率和快速的电子运动速度，因此它在高频信号处理和光学通信中起着重要作用。

这些特性使GAAS成为高速电子产品的关键材料之一。

GAA还用于制造超高速度计算机芯片，因为它即使在低温温度下也保留了出色的电气性能。

与传统的半导体材料（例如SI（Silicon））相比，GAAS相对昂贵，制造过程很复杂。

但是，GAAS仍然被认为是重要的半导体材料，因为它在高速电子中提供了出色的电气性能和性能。

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