HALL Datasheet(PDF) - SDC277 - Shaoxing Devechip Microelectronics Co., Ltd

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什么是 HALL

“霍尔”是电子组件和电子技术领域中使用的术语之一，主要与“霍尔效应”有关。大厅效应是一种现象，在研究电和磁性特性和检测电信号方面起着重要作用。

霍尔效应：霍尔效应是指由导体内部的磁场（例如半导体或金属）在电流中流动的磁场引起的电压差。埃德温·霍尔（Edwin Hall）于1879年首次观察到这种现象，此后已在各种应用中使用。

大厅效应主要与几种主要用途有关：

霍尔传感器：基于霍尔效应的传感器用于测量和检测磁场。用于汽车，电子，自动化和其他应用中的速度测量，旋转检测，位置测量等。

开关和接近传感器：使用霍尔传感器来检测对象的方法。当对象打扰磁场时，传感器会产生信号，该信号可以检测事件并用于控制。

电流传感：使用霍尔传感器来测量电流。这使您可以监视和控制电路或电气设备的当前状态。

汽车应用：在汽车中，使用霍尔传感器来测量速度，旋转速率，方向等。例如，它用于ABS（反锁制动系统）和ESP（电子控制稳定性）系统中。

磁性记录介质：用于使用HALL效应在磁性记录介质（例如硬盘驱动器）上读取和写入数据。

大厅效应在电子组件和传感器的设计中起着重要作用，因为它基于磁场和电流之间的相互作用。霍尔传感器和大厅效应用于多种技术和应用中，以收集和利用电气和磁性信息。

*此信息仅供一般参考，对于因上述信息造成的任何损失或损害，我们概不负责。

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制造商	部件名	数据表	功能描述
Shaoxing Devechip Micro...	SDC277	252Kb/8P	Switch Hall IC
Littelfuse	55310	422Kb/3P	Hall Effect Sensors
Asahi Kasei Microsystem...	EM6011	543Kb/13P	Hall Effect Latch
NANJING AH ELECTRONICS ...	AH543	666Kb/9P	Unipolar Hall Sensor
Major-Power Technology ...	MA7015	167Kb/2P	Hall Effect Switch Rev.1.0
Panasonic Semiconductor	OH10008	44Kb/2P	GaAs Hall Device
	OH10003	48Kb/2P	GaAs Hall Device
	OH10004	46Kb/2P	GaAs Hall Device
IC-Haus GmbH	IC-MZ	323Kb/11P	DIFFERENTIAL HALL SWITCH
Micronas	HAL1000	813Kb/28P	Programmable Hall Switch
SEC Electronics Inc.	SS109	203Kb/5P	Unipolar Hall Switch
Rohm	BU52015GUL	192Kb/5P	Hall effect Switch
Rohm	BU52003GUL	189Kb/6P	Hall effect Switch
FOTEK CONTROLS CO., LTD...	MS08-10N	239Kb/2P	Mahnetic Hall sensor
TE Connectivity Ltd	CAT-ATS0008	92Kb/1P	HALL SENSOR T40MC2
NANJING AH ELECTRONICS ...	AH3662	677Kb/8P	Micropowr Hall Sensor
Beijing Yaohuadechang E...	HV4117TB	1Mb/1P	Hall voltage sensor
Shaoxing Devechip Micro...	SDC477	250Kb/8P	Switch Hall IC
Shaoxing Devechip Micro...	SDC266	228Kb/8P	Switch Hall IC
NANJING AH ELECTRONICS ...	AH3509	738Kb/8P	Linear Hall Sensor

HALL 数据表, PDF

什么是 HALL

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