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TRENCH 数据表, PDF

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IXYS Corporation 		ITF48IF1200HR Datasheet pdf image
408Kb/7P		 Trench IGBT
FMM140-004PL Datasheet pdf image
32Kb/2P		 Trench Power MOSFET
FMM200-004PL Datasheet pdf image
46Kb/2P		 Trench Power MOSFET
FMM300-0055P Datasheet pdf image
46Kb/2P		 Trench Power MOSFET
IXUC160N075 Datasheet pdf image
55Kb/2P		 Trench Power MOSFET
FMM65-015P Datasheet pdf image
30Kb/2P		 Trench Power MOSFET
FMM200-0075P Datasheet pdf image
116Kb/2P		 Trench Power MOSFET
IXTP160N085T Datasheet pdf image
141Kb/5P		 Trench Gate Power MOSFET
MWI150-12T8T Datasheet pdf image
222Kb/7P		 Six-Pack Trench IGBT
IX112T06M-AG Datasheet pdf image
77Kb/2P		 Trench XPT IGBT Chip
IXTQ180N055T Datasheet pdf image
117Kb/5P		 Trench Gate Power MOSFET
IX150T06M-AG Datasheet pdf image
75Kb/2P		 Trench XPT IGBT Chip
MKI80-06T6K Datasheet pdf image
225Kb/5P		 H-Bridge Trench IGBT
MWI75-12T7T Datasheet pdf image
299Kb/6P		 Six-Pack Trench IGBT
IXGA150N33TC Datasheet pdf image
199Kb/5P		 Trench Gate High Speed
IXFV110N25T Datasheet pdf image
191Kb/5P		 Trench Gate Power HiperFET
IXFH86N30T Datasheet pdf image
182Kb/6P		 Trench HiperFET Power MOSFET
IXUC200N055 Datasheet pdf image
53Kb/2P		 Trench Power MOSFET ISOPLUS220
MWI50-12T7T Datasheet pdf image
274Kb/7P		 Six-Pack Trench IGBT
MWI75-12T8T Datasheet pdf image
338Kb/7P		 Six-Pack Trench IGBT

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什么是 TRENCH

“ Trench”是电子组件制造技术之一，用于制造半导体设备的过程。

Trench技术是一项技术，旨在改善半导体设备的电性能。

Trench技术重新设计了半导体设备的结构，以改善设备的热量产生和性能降解。

使用沟槽技术，可以在半导体设备内挖出一个小坑（沟槽），以增加设备的表面积。

这改善了电气性能，因为电流流的路径较短。

Trench技术主要用于高性能半导体设备，例如MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。

这些半导体设备用于高速电子电路，电源转换设备和汽车控制设备。

Trench技术在现代电子组件行业中起着非常重要的作用，因为它提高了设备​​的性能和效率。

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